Kaufen Sie FF200R12KT4 von Infineon in Schweiz

Marke Infineon
Produkt FF200R12KT4
Beschreibung IGBT-Modul
Interner Code IMP4751131
Technische Spezifikation Konfiguration: Dual Kollektor-Emitter-Spannung VCEO Max: 1200 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1,75 V Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C: 320 A Gate-Emitter-Leckstrom: 400 nA Pd - Verlustleistung: 1100 W

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Der FF200R12KT4 ist so konzipiert, dass er in verschiedenen Anwendungen optimale Leistung und Haltbarkeit bietet. Bekannt für seine hochwertige Konstruktion und innovativen Funktionen, ist er die bevorzugte Wahl für Fachleute.

Hauptmerkmale des FF200R12KT4 :

  • Hohe Leistung: Ingenieurtechnisch entworfen, um hervorragende Ergebnisse zu liefern.
  • Robuste Konstruktion: Aus hochwertigen Materialien für lang anhaltende Nutzung hergestellt.
  • Innovatives Design: Integriert die neueste Technologie für erhöhte Effizienz.
  • Kosteneffizient: Bietet ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis zu wettbewerbsfähigen Preisen.

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